威兆半导体推出的VSD950N70HS是一款面向 700V 高压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适配高压电源管理、DC/DC 转换器等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET（超结工艺）
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.88Ω，高压场景下传导损耗可控；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时5A，\(T=100^\circ\text{C}\)时降额为3.2A；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：20A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。
二、核心特性
- 超结工艺（Super Junction）：兼顾高压耐压与较低的导通电阻，提升高压场景能效；
- 低栅极电荷：极致低栅极电荷特性，降低开关损耗；
- 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 97mJ，抗冲击能力强；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
700 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±30 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
5 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 5；\(T=100^\circ\text{C}\): 3.2 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
20 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | \(E_{AS}\) |
97 | mJ |
| 最大功耗（结温约束） | \(P_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 42；\(T=100^\circ\text{C}\): 17 |
W |
| 结 - 壳热阻 | \(R_{thJC}\) |
3.0 | ℃/W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：TO-252 表面贴装封装，包装规格为 2500pcs / 卷，适配高压小型化电路设计；
- 典型应用：
- 700V 级高压 DC/DC 转换器开关管；
- 工业设备的高压电源管理系统；
- 光伏、适配器等高压场景的功率开关。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）