深度解析：移相全桥拓扑的演进、技术瓶颈与SiC碳化硅的应用价值
移相全桥 mosfet igbt llc谐振电路 拓扑倾佳电子深度解析：移相全桥拓扑的演进、技术瓶颈与SiC碳化硅的应用价值 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销...
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SiC碳化硅MOSFET驱动电压的限制源于栅氧可靠性与器件性能之间的权衡
mosfet 可靠性设计 可靠性 芯片碳化硅（SiC）MOSFET的Vgs正负驱动电压限制的根本原因源于其栅氧化层（通常为SiO₂）的电场耐受能力和界面特性，需在栅氧可靠性与器件性能之间进行权衡。...